DMN2992UFB4Q-7B
Número do Produto do Fabricante:

DMN2992UFB4Q-7B

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMN2992UFB4Q-7B-DG

Descrição:

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 830mA (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3

Inventário:

9605 Pcs Novo Original Em Estoque
13002754
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

DMN2992UFB4Q-7B Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
830mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.41 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15.6 pF @ 16 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
380mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
X2-DFN1006-3
Pacote / Estojo
3-XFDFN
Número do produto base
DMN2992

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
31-DMN2992UFB4Q-7BDKR
31-DMN2992UFB4Q-7BCT
31-DMN2992UFB4Q-7BTR
Pacote padrão
10,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
DMN2992UFB4-7B
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
9290
NÚMERO DA PEÇA
DMN2992UFB4-7B-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
diodes

DMTH10H4M5LPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

goford-semiconductor

G160P03KI

MOSFET P-CH 30V 30A TO-252

goford-semiconductor

GT045N10M

N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V

goford-semiconductor

G1K1P06HH

P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT