DMTH10H4M5LPSWQ-13
Número do Produto do Fabricante:

DMTH10H4M5LPSWQ-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Número da Peça:

DMTH10H4M5LPSWQ-13-DG

Descrição:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventário:

2450 Pcs Novo Original Em Estoque
13002758
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

DMTH10H4M5LPSWQ-13 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Ta), 107A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4843 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount, Wettable Flank
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerDI5060-8 (Type UX)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
DMTH10

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
31-DMTH10H4M5LPSWQ-13CT
31-DMTH10H4M5LPSWQ-13DKR
31-DMTH10H4M5LPSWQ-13TR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
DMTH10H4M5LPSW
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2500
NÚMERO DA PEÇA
DMTH10H4M5LPSW-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.79
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
goford-semiconductor

G160P03KI

MOSFET P-CH 30V 30A TO-252

goford-semiconductor

GT045N10M

N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V

goford-semiconductor

G1K1P06HH

P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT

diodes

DMN1019USNQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K