Número do Produto do Fabricante:
GT045N10M
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GT045N10M-DG
Descrição:
N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventário:
694 Pcs Novo Original Em Estoque
13002762
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ENVIAR
GT045N10M Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
SGT
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4198 pF @ 50 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-GT045N10MTR
4822-GT045N10MTR
3141-GT045N10MCT
3141-GT045N10MDKR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
GT045N10M
FABRICANTE
Goford Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
694
NÚMERO DA PEÇA
GT045N10M-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.74
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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