Número do Produto do Fabricante:
G1K1P06HH
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G1K1P06HH-DG
Descrição:
P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 4.5A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventário:
4679 Pcs Novo Original Em Estoque
13002766
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G1K1P06HH Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
981 pF @ 30 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G1K1P06HHTR
4822-G1K1P06HHTR
3141-G1K1P06HHCT
3141-G1K1P06HHDKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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