Número do Produto do Fabricante:
SQP25N15-52_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQP25N15-52_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 25A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
13061195
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQP25N15-52_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tube
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2360 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
107W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SQP25
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SQP25N15-52_GE3TR-ND
SQP25N15-52_GE3DKRINACTIVE
SQP25N15-52_GE3CT-ND
SQP25N15-52_GE3TR
SQP25N15-52_GE3CT
SQP25N15-52_GE3TRINACTIVE
SQP25N15-52_GE3DKR-ND
SQP25N15-52_GE3DKR
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SISH129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
SI1488DH-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
SIRA66DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
