Número do Produto do Fabricante:
SISH129DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SISH129DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 14.4A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventário:
90 Pcs Novo Original Em Estoque
13061230
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SISH129DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
14.4A (Ta), 35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 14.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.8V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3345 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Temperatura de operação
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8SH
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8SH
Número do produto base
SISH129
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SISH129DN-T1-GE3CT
SISH129DN-T1-GE3DKR
SISH129DN-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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