Número do Produto do Fabricante:
SI4190DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4190DY-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 20A (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
13061369
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI4190DY-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Empacotamento
Cut Tape (CT)
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.8V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4190
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI4190DYT1GE3
SI4190DY-T1-GE3TR
SI4190DY-T1-GE3DKR
SI4190DY-T1-GE3CT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI4190ADY-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
SI4190ADY-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.69
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
FDS86140
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
FDS86140-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.19
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
SI1480DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
SI7160DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
