Número do Produto do Fabricante:
SQD40N06-14L_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQD40N06-14L_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
5837 Pcs Novo Original Em Estoque
13008759
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQD40N06-14L_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2105 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SQD40
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIS456DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SIA459EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
SUD50N04-16P-E3
MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252