Número do Produto do Fabricante:
SIS410DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIS410DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventário:
4436 Pcs Novo Original Em Estoque
13009418
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ENVIAR
SIS410DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SIS410
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Certificação DIGI
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