SIA459EDJ-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIA459EDJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIA459EDJ-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventário:

15828 Pcs Novo Original Em Estoque
13008977
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SIA459EDJ-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
885 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura de operação
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6
Número do produto base
SIA459

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Certificação DIGI
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