SIS438DN-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIS438DN-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIS438DN-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 16A (Tc) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventário:

40327 Pcs Novo Original Em Estoque
13061539
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SIS438DN-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SIS438

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
SIS438DNT1GE3
SIS438DN-T1-GE3DKR
SIS438DN-T1-GE3TR
SIS438DN-T1-GE3-ND
SIS438DN-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay

SI1480DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6

vishay

SI7160DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

vishay

SQD100N03-3M2L_GE3

MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

vishay

SI2343DS-T1

MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3