Número do Produto do Fabricante:
SIRS4301DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIRS4301DP-T1-GE3-DG
Descrição:
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 53.7A (Ta), 227A (Tc) 7.4W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
13374269
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIRS4301DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
53.7A (Ta), 227A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
19750 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
7.4W (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIRS4301
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIRS4301DP-T1-GE3TR
742-SIRS4301DP-T1-GE3CT
742-SIRS4301DP-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SISS4402DN-T1-GE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
SISS5623DN-T1-GE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
TSM10ND65CI
650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW