SISS4402DN-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SISS4402DN-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SISS4402DN-T1-GE3-DG

Descrição:

N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 35.5A (Ta), 128A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Inventário:

11900 Pcs Novo Original Em Estoque
13374278
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SISS4402DN-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35.5A (Ta), 128A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3850 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8S
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8S
Número do produto base
SISS4402

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
742-SISS4402DN-T1-GE3CT
742-SISS4402DN-T1-GE3DKR
742-SISS4402DN-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay

SISS5623DN-T1-GE3

P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

taiwan-semiconductor

TSM10ND65CI

650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW

taiwan-semiconductor

TSM70N900CI

700V, 4.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

taiwan-semiconductor

TSM043NB04LCZ

40V, 124A, SINGLE N-CHANNEL POWE