Número do Produto do Fabricante:
TSM10ND65CI
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM10ND65CI-DG
Descrição:
650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventário:
13374309
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TSM10ND65CI Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Empacotamento
Tube
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.8V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
39.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1863 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
56.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
ITO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número do produto base
TSM10
Informação Adicional
Outros nomes
1801-TSM10ND65CI
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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