Número do Produto do Fabricante:
VQ1001P-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
VQ1001P-E3-DG
Descrição:
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
Inventário:
12787785
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Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
B1K2
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VQ1001P-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
4 N-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
830mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.75Ohm @ 200mA, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
110pF @ 15V
Potência - Máx.
2W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
14-DIP
Número do produto base
VQ1001
Informação Adicional
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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