SIZ328DT-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIZ328DT-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIZ328DT-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 25V 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)

Inventário:

2850 Pcs Novo Original Em Estoque
12787790
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SIZ328DT-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Potência - Máx.
2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-PowerWDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-Power33 (3x3)
Número do produto base
SIZ328

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SIZ328DT-T1-GE3DKR-DG
SIZ328DT-T1-GE3DKR
SIZ328DT-T1-GE3TR
742-SIZ328DT-T1-GE3TR
SIZ328DT-GE3
SIZ328DT-T1-GE3TR-DG
SIZ328DT-T1-GE3CT
742-SIZ328DT-T1-GE3CT
SIZ328DT-T1-GE3CT-DG
742-SIZ328DT-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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