Número do Produto do Fabricante:
A1F25M12W2-F1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
A1F25M12W2-F1-DG
Descrição:
SIC 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 1200V 50A Chassis Mount ACEPACK 1
Inventário:
12787806
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A1F25M12W2-F1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tray
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Configuração
4 N-Channel
Recurso FET
Silicon Carbide (SiC)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
4.9V @ 5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
147nC @ 18V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3500pF @ 800V
Potência - Máx.
-
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Estojo
Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
ACEPACK 1
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-A1F25M12W2-F1
Pacote padrão
18
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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