Número do Produto do Fabricante:
SQJ457EP-T1_BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQJ457EP-T1_BE3-DG
Descrição:
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 36A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
12977799
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SQJ457EP-T1_BE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SQJ457EP-T1_BE3TR
742-SQJ457EP-T1_BE3DKR
742-SQJ457EP-T1_BE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SQJ457EP-T1_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
13528
NÚMERO DA PEÇA
SQJ457EP-T1_GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.33
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
NÚMERO DA PEÇA
SQJ457EP-T2_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
8710
NÚMERO DA PEÇA
SQJ457EP-T2_GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.33
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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