SQJ457EP-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQJ457EP-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQJ457EP-T1_GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 36A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

13528 Pcs Novo Original Em Estoque
12785990
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SQJ457EP-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SQJ457

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
SQJ457EP-T1_GE3DKR
SQJ457EP-T1_GE3CT
SQJ457EP-T1_GE3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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