SQJ457EP-T2_GE3

Número do Produto do Fabricante:

SQJ457EP-T2_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQJ457EP-T2_GE3-DG

Descrição:

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Descrição Detalhada:

P-Channel 60 V 36A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

8710 Pcs Novo Original Em Estoque

12977791

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

SQJ457EP-T2_GE3 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

60 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

36A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

2.5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

100 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

3400 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

68W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

PowerPAK® SO-8

Pacote / Estojo

PowerPAK® SO-8

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes

742-SQJ457EP-T2_GE3CT

742-SQJ457EP-T2_GE3DKR

742-SQJ457EP-T2_GE3TR

Pacote padrão

3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

vishay-siliconix

SIHFL210TR-GE3

MOSFET N-CHANNEL 200V

vishay-siliconix

SIHLU024-GE3

LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V

vishay-siliconix

SIHP6N40D-BE3

N-CHANNEL 400V

vishay-siliconix

SIHFR320TR-GE3

MOSFET N-CHANNEL 400V