SQ4435EY-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQ4435EY-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQ4435EY-T1_GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 15A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

2352 Pcs Novo Original Em Estoque
12916594
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SQ4435EY-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2170 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
6.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SQ4435

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SQ4435EY-T1_GE3-DG
SQ4435EY-T1_GE3CT
SQ4435EY-T1_GE3DKR
SQ4435EY-T1_GE3TR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
SQ4435EY-T1_BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2500
NÚMERO DA PEÇA
SQ4435EY-T1_BE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.48
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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