SQ4435EY-T1_BE3
Número do Produto do Fabricante:

SQ4435EY-T1_BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQ4435EY-T1_BE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 15A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

2500 Pcs Novo Original Em Estoque
12954853
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SQ4435EY-T1_BE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2170 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
6.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SQ4435

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
742-SQ4435EY-T1_BE3TR
742-SQ4435EY-T1_BE3DKR
742-SQ4435EY-T1_BE3CT
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SI1330EDL-T1-BE3

MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3

nxp-semiconductors

BUK9230-55A/C1118

N-CHANNEL POWER MOSFET

vishay-siliconix

SI4462DY-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AONS36326

MOSFET N-CH 5X6 DFN