SIA438EDJ-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIA438EDJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIA438EDJ-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2.4W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventário:

12916597
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SIA438EDJ-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.4W (Ta), 11.4W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6
Número do produto base
SIA438

Informação Adicional

Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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