Número do Produto do Fabricante:
SIHG11N80E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHG11N80E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventário:
12787054
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SIHG11N80E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
E
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1670 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
179W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AC
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SIHG11
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFH16N80P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
295
NÚMERO DA PEÇA
IXFH16N80P-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.52
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXFH14N60P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
24
NÚMERO DA PEÇA
IXFH14N60P-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.65
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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