Número do Produto do Fabricante:
SIHB12N65E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIHB12N65E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
408 Pcs Novo Original Em Estoque
12787062
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SIHB12N65E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1224 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SIHB12
Folha de Dados & Documentos
Desenhos do produto
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SIHB12N65E-GE3TR
SIHB12N65E-GE3TRINACTIVE
SIHB12N65E-GE3DKR-DG
SIHB12N65E-GE3DKR
SIHB12N65E-GE3DKRINACTIVE
SIHB12N65E-GE3CT-DG
SIHB12N65E-GE3TR-DG
SIHB12N65E-GE3CT
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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