Número do Produto do Fabricante:
SUP50020E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SUP50020E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
12787061
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SUP50020E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SUP50020
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SUP50020E-GE3DKRINACTIVE
SUP50020E-GE3CT
SUP50020E-GE3CT-DG
SUP50020E-GE3TR
SUP50020E-GE3TRINACTIVE
SUP50020E-GE3DKR
SUP50020E-GE3TR-DG
SUP50020E-GE3DKR-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDP023N08B-F102
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
890
NÚMERO DA PEÇA
FDP023N08B-F102-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.57
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
TK100E06N1,S1X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
11
NÚMERO DA PEÇA
TK100E06N1,S1X-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.09
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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