Número do Produto do Fabricante:
SI7852DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7852DP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 7.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
2134 Pcs Novo Original Em Estoque
12917049
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ENVIAR
SI7852DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA (Min)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.9W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SI7852
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI7852DP-T1-GE3DKR
SI7852DP-T1-GE3CT
SI7852DP-T1-GE3-DG
SI7852DP-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RS6N120BHTB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1763
NÚMERO DA PEÇA
RS6N120BHTB1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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