Número do Produto do Fabricante:
RS6N120BHTB1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RS6N120BHTB1-DG
Descrição:
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventário:
1763 Pcs Novo Original Em Estoque
13000712
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RS6N120BHTB1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 60A, 6V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3420 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-HSOP
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
RS6N120
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-RS6N120BHTB1TR
846-RS6N120BHTB1CT
846-RS6N120BHTB1DKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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