Número do Produto do Fabricante:
SI7104DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7104DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 12 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventário:
12917051
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SI7104DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.8V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2800 pF @ 6 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SI7104
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RQ1C065UNTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2855
NÚMERO DA PEÇA
RQ1C065UNTR-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.18
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
RF4E110GNTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6586
NÚMERO DA PEÇA
RF4E110GNTR-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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