Número do Produto do Fabricante:
SI5915DC-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI5915DC-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 8V 3.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventário:
12959843
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SI5915DC-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 3.4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
1.1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
1206-8 ChipFET™
Número do produto base
SI5915
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI5935CDC-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
11398
NÚMERO DA PEÇA
SI5935CDC-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.15
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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