Número do Produto do Fabricante:
SI4916DY-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4916DY-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
12959885
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI4916DY-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
LITTLE FOOT®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A, 10.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
3.3W, 3.5W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Número do produto base
SI4916
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI4916DYT1E3
SI4916DY-T1-E3DKR
SI4916DY-T1-E3TR
SI4916DY-T1-E3CT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI4816BDY-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
SI4816BDY-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.63
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SH8KA4TB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
41573
NÚMERO DA PEÇA
SH8KA4TB-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.31
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SQJ740EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 123A PPAK SO-8L
SIA923EDJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
MSCSM170HRM451AG
SIC 4N-CH 1700V/1200V 64A/89A
