Número do Produto do Fabricante:
SI5935CDC-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI5935CDC-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventário:
11398 Pcs Novo Original Em Estoque
12914135
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SI5935CDC-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
455pF @ 10V
Potência - Máx.
3.1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
1206-8 ChipFET™
Número do produto base
SI5935
Informação Adicional
Outros nomes
SI5935CDC-T1-GE3DKR
SI5935CDC-T1-GE3CT
SI5935CDC-T1-GE3TR
SI5935CDCT1GE3
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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