SI4511DY-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI4511DY-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI4511DY-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 7.2A, 4.6A 1.1W Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

12962173
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SI4511DY-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.8V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
1.1W
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Número do produto base
SI4511

Informação Adicional

Outros nomes
SI4511DYT1GE3
SI4511DY-T1-GE3CT
SI4511DY-T1-GE3DKR
SI4511DY-T1-GE3TR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
DMC2020USD-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
DMC2020USD-13-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.25
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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