SIA910EDJ-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIA910EDJ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIA910EDJ-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventário:

2096 Pcs Novo Original Em Estoque
12963199
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SIA910EDJ-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5.2A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
455pF @ 6V
Potência - Máx.
7.8W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número do produto base
SIA910

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SIA910EDJ-T1-GE3DKR
SIA910EDJ-T1-GE3CT
SIA910EDJ-T1-GE3TR
SIA910EDJT1GE3
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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