Número do Produto do Fabricante:
SI1917EDH-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI1917EDH-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 12V 1A 570mW Surface Mount SC-70-6
Inventário:
12962234
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SI1917EDH-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
370mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
450mV @ 100µA (Min)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
570mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-70-6
Número do produto base
SI1917
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI1917EDHT1E3
SI1917EDH-T1-E3DKR
SI1917EDH-T1-E3TR
SI1917EDH-T1-E3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI1965DH-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5645
NÚMERO DA PEÇA
SI1965DH-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.13
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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