Número do Produto do Fabricante:
SI1065X-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI1065X-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
Descrição Detalhada:
P-Channel 12 V 1.18A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventário:
12919753
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SI1065X-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.18A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 1.18A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
950mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
480 pF @ 6 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
236mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-89 (SOT-563F)
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Número do produto base
SI1065
Informação Adicional
Outros nomes
SI1065X-T1-GE3DKR
SI1065XT1GE3
SI1065X-T1-GE3TR
SI1065X-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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