SI4103DY-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI4103DY-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI4103DY-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 14A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SO

Inventário:

3790 Pcs Novo Original Em Estoque
12919760
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SI4103DY-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen III
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
14A (Ta), 16A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5200 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4103

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
SI4103DY-T1-GE3CT
SI4103DY-GE3
SI4103DY-T1-GE3TR
SI4103DY-T1-GE3DKR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SIHP7N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB

vishay-siliconix

SI4436DY-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 8A 8SO

vishay-siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIHG25N40D-E3

MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC