Número do Produto do Fabricante:
SI1002R-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI1002R-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 610mA (Ta) 220mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Inventário:
12919759
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SI1002R-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
610mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
36 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
220mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-75A
Pacote / Estojo
SC-75A
Número do produto base
SI1002
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI1022R-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
35485
NÚMERO DA PEÇA
SI1022R-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.16
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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