Número do Produto do Fabricante:
SI1025X-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI1025X-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventário:
34282 Pcs Novo Original Em Estoque
12962154
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SI1025X-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.7nC @ 15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
23pF @ 25V
Potência - Máx.
250mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-89 (SOT-563F)
Número do produto base
SI1025
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI1025XT1GE3
SI1025X-T1-GE3DKR
SI1025X-T1-GE3TR
SI1025X-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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