Número do Produto do Fabricante:
SI1022R-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI1022R-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 330mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Inventário:
35485 Pcs Novo Original Em Estoque
12966144
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SI1022R-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
330mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
30 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-75A
Pacote / Estojo
SC-75, SOT-416
Número do produto base
SI1022
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI1022R-T1-GE3TR
SI1022R-T1-GE3DKR
SI1022RT1GE3
SI1022R-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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