Número do Produto do Fabricante:
TPH3208LSG
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
DiGi Electronics Número da Peça:
TPH3208LSG-DG
Descrição:
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventário:
13446621
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TPH3208LSG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14A, 8V
vgs(th) (máx) @ id
2.6V @ 300µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
3-PQFN (8x8)
Pacote / Estojo
3-PowerDFN
Informação Adicional
Pacote padrão
60
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFA22N65X2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
250
NÚMERO DA PEÇA
IXFA22N65X2-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.56
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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