Número do Produto do Fabricante:
TPH3212PS
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
DiGi Electronics Número da Peça:
TPH3212PS-DG
Descrição:
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
13446813
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ENVIAR
TPH3212PS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 17A, 8V
vgs(th) (máx) @ id
2.6V @ 400uA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1130 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
TPH3212
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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