Número do Produto do Fabricante:
TP65H070LSG
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
DiGi Electronics Número da Peça:
TP65H070LSG-DG
Descrição:
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventário:
13446636
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TP65H070LSG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalagem
-
Série
TP65H070L
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.8V @ 700µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
3-PQFN (8x8)
Pacote / Estojo
3-PowerDFN
Número do produto base
TP65H070
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
60
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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