Número do Produto do Fabricante:
TPCF8201(TE85L,F,M
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPCF8201(TE85L,F,M-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 3A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventário:
12890829
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TPCF8201(TE85L,F,M Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
590pF @ 10V
Potência - Máx.
330mW
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
VS-8 (2.9x1.5)
Número do produto base
TPCF8201
Informação Adicional
Outros nomes
TPCF8201TR-NDR
TPCF8201(TE85LFMCT
TPCF8201FCT-DG
TPCF8201FTR-DG
TPCF8201FTR
TPCF8201(TE85LFMDKR
TPCF8201(TE85L,F)
TPCF8201(TE85LFMTR
TPCF8201FCT
TPCF8201FDKR
TPCF8201FDKR-DG
TPCF8201TE85LFM
TPCF8201CT-NDR
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
TPC8211(TE12L,Q,M)
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOP
SSM6L61NU,LF
MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN
SSM6N16FUTE85LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6