Número do Produto do Fabricante:
SSM6N16FUTE85LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM6N16FUTE85LF-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 100mA 200mW Surface Mount US6
Inventário:
3590 Pcs Novo Original Em Estoque
12890988
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SSM6N16FUTE85LF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (máx) @ id
1.1V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9.3pF @ 3V
Potência - Máx.
200mW
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos do fornecedor
US6
Número do produto base
SSM6N16
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM6N16FU(TE85L,F)
SSM6N16FUTE85LFTR
SSM6N16FUTE85LFDKR
SSM6N16FUTE85LFCT
SSM6L09FU(TE85LF)
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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