TPC8211(TE12L,Q,M)
Número do Produto do Fabricante:

TPC8211(TE12L,Q,M)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

TPC8211(TE12L,Q,M)-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOP
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 5.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)

Inventário:

12890916
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TPC8211(TE12L,Q,M) Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1250pF @ 10V
Potência - Máx.
450mW
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP (5.5x6.0)
Número do produto base
TPC8211

Informação Adicional

Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
FDS6930B
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
970
NÚMERO DA PEÇA
FDS6930B-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.18
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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