Número do Produto do Fabricante:
TK39J60W5,S1VQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK39J60W5,S1VQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventário:
25 Pcs Novo Original Em Estoque
12890722
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TK39J60W5,S1VQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.7V @ 1.9mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
270W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P(N)
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
TK39J60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK39J60W5S1VQ
TK39J60W5,S1VQ(O
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
TPN4R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
TK100A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
