Número do Produto do Fabricante:
TK31V60X,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK31V60X,LQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventário:
23868 Pcs Novo Original Em Estoque
12890724
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TK31V60X,LQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
DTMOSIV-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 9.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 1.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
240W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DFN-EP (8x8)
Pacote / Estojo
4-VSFN Exposed Pad
Número do produto base
TK31V60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK31V60X,LQ(S
TK31V60XLQDKR
TK31V60XLQCT
TK31V60XLQTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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