Número do Produto do Fabricante:
TPN4R712MD,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPN4R712MD,L1Q-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventário:
7052 Pcs Novo Original Em Estoque
12890723
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TPN4R712MD,L1Q Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4300 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
TPN4R712
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TPN4R712MDL1QTR
TPN4R712MDL1QDKR
TPN4R712MDL1QCT
TPN4R712MD,L1Q(M
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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