Número do Produto do Fabricante:
TK25A20D,S5X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK25A20D,S5X-DG
Descrição:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 25A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventário:
25 Pcs Novo Original Em Estoque
12988911
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TK25A20D,S5X Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2550 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK25A20D,S5X-DG
TK25A20D,S5X(M
264-TK25A20DS5X
264-TK25A20D,S5X
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
AS1M025120T
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
AIMBG120R020M1XTMA1
SIC_DISCRETE
2N7002E
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
